Page 29 - 网络电信2021年12月刊下
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标准,将多模光纤重新分为OM1,OM2和OM3三类,OM1和OM2为传 中传播。而正是BIMMF光纤中,这一特殊的折射率剖面结构形
统以LED为光源的多模光纤,OM3则为应用VCSEL光源、波长为 式,强势地维持着在靠近纤芯-包层界面传播的高阶导模的传导
850nm的50/125mm的激光优化光纤。2009年8月TIA通过了新的 性,从而有效地改善了光纤的抗弯曲性能。
EIA/TIA492AAD定义的OM4多模光纤标准,OM4实际上是OM3光纤
的升级版。
图 21 常规的多模光纤 MMF 和弯曲不敏感光纤 BIMMF 的模场
OM5光纤是采用VCSEL光源, 为短波长的波分复用(SWDM)
设计的梯度型折射率分布、50/125mm多模光纤,与常规OM4光纤
祗是在850nm波长附近有高带宽不同,OM5宽带多模光纤在850-
950nm波长范围内都具有高带宽,适用于数据中心网络,为未来
100Gb/s到400Gb/s多波长系统提供了光纤解决方案。OM5宽带
多模光纤是早在2014年10月,为建立VCSEL激光优化另一个维度
的系统, 由TIA提出建议、称之为宽带OM4的多模光纤,于2016年
10月正式定名为OM5宽带多模光纤。OM5宽带多模光纤可在850nm
到953nm波长范围内实现四波长波分复用,如图20所示。波长λc 3. 多模光纤的带宽测量
分别为853,883,914,946nm; 通带宽约为14nm,防护带宽约为 传统的多模光纤以LED为光源,多模光纤的满注入OFL
16nm。 (Over-filled Launch)带宽反映的是对光纤在LED光源环境
下的带宽性能指标,通常可用时域(脉冲展宽)和频域(扫频)
方法测量其带宽,并可通过富里哀变换进行相互转换。随着网
图 20 OM5 宽带多模光纤的短波长波分复用(SWDM)
络速率和规模的提高,调制速率达到10Gbit/s的短波长850nm
的VCSEL激光光源成为高速网络的光源之一,因而OM3、OM4光
纤的注入条件与LED光源完全不同,需釆用综合VCSEL光源注入
特性的有效模式带宽的测量方法,有效模式带宽(Calculated
Effective Mode Bandwidth) EMB方法:是将光纤的实测DMD输出
时延响应U(r,t)与工作在850nm波长的VCSEL激光器的光强分布
特性相结合,通过计算方法得到的VCSEL光纤系统的带宽,用以确
定光纤在10Gbit/s以太网的使用性能。
2.弯曲损耗不敏感多模光纤 EMB测量过程原理如图22所示, 步骤如下:
在数据中心的应用中弯曲损耗不敏感多模光纤的使用愈益 (a)测出光纤的DMD, 即探测激光光源输出脉冲幅度对时间t
广泛,它可以优化设计光缆、硬件及设备,以节约空间,提高 和径向偏移r的分布函数U(r,t) ;
冷却效率,便于连接及线缆管理。弯曲不敏感OM3/OM4多模光纤 (b)将从VCSEL的径向强度分布函数(环型通量 Encircled
(bend insensitive multimode fiber, BIMMF)的折射率剖面 Flux)数据导出的加权函数W(r),与DMD数据相结合,得到光纤加
结构基本与标准的多模光纤相似,如图21所示。BIMMF的折射率 权DMD函数;
剖面分布,在纤芯区与常规的50μm的多模光纤相同,祗是在 (c)光纤加权DMD函数W(r)U(r,t),它反映了VCSEL的光功率
近纤芯的包层区设置环沟型折射率下陷区(trench-assisted 分布特性;
multimode fiber)。 (d)将各径向偏移点r的DMD脉冲求和,从而得到合成的光纤
在常规的多模光纤MMF中,位于纤芯区的低价导模处于强导 的输出脉冲响应:
状态,而在靠近纤芯-包层界面传播的高阶导模,因其有效折射
率n eff 接近包层折射率n 2 ,故处于弱导状态。处于弱导状态的高 (46)
阶导模在光纤弯曲半径太小时,其光强会逸出纤芯,造成光纤损
耗。而在弯曲不敏感光纤BIMMF中,下陷的环沟型折射率分布 (e)通过富里哀变换(Fourier transform(FT))可求得
区有两个界面,其内界面折射率从大到小,形成导光界面。由 VCSEL-光纤组合系统的传输函数(频率响应),并由此得到有效
于此界面的存在,增强了光纤纤芯中导模的传导性,从而使原 模式带宽的计算值(EMBc):
为弱导状态的高阶导模转化为强导状态,而下陷的环沟型折射
率分布区的外界面折射率从小到大,形成折光界面。由于这一 (47)
特殊的折射率剖面结构,在BIMMF光纤中存在着传导性的漏泄模
(leaky mode)。漏泄模是本征方程在截止区外的解析连续, 式中R(t)为由DMD注入所产生的参考输入脉冲。
他们的场是相同的, 但其本征值或传播常数是本征方程的复数 由此求得的光纤有效模式带宽既反映了光纤的带宽特性,
解,因而漏泄模在传播中有固有衰减而无法正常传播。漏泄模的 又与VCSEL光源的EF注入条件有关。这种通过计算方法得到的
有效折射率n eff 小于包层折射率n 2 。在常规多模光纤中,漏泄模 EMB,可模拟为VCSEL光源本身注入光纤得到的光纤传输性能,如
耗衰得很快,因为常规光纤中没有折射率结构可支持其在光纤 表3所示:
网络电信 二零二一年十二月 29