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2、不同应力下的加速硫化寿命符合逆幂律模型 图10 磁珠工程寿命预估模型图
单一H 2 S气体腐蚀试验下，相同封装尺寸的磁珠在不同应力
下的寿命分布如图9所示。
图9 磁珠在H 2 S试验下的寿命分布图
3种不同颜色分别对应不同的应力水平，绿色最高，黑色最
低。由图可知，在相同恒定应力下，磁珠硫化失效故障点分布
基本在一条直线上，磁珠在恒定应力下的硫化寿命符合威布尔
分布；在不同应力下的试验结果拟合3条直线相互平行、斜率相
同，即形状参数ｍ相同，不同应力下，磁珠的硫化失效机理是
一样的；在加速硫化腐蚀试验中，高的应力水平φ对应低的特
征寿命η，磁珠的加速硫化腐蚀寿命符合逆幂律模型。
3、工程寿命预估 界，2017，24（7）：47-50，46．
图10所示为磁珠工程寿命预估模型图。结合工程中的环境 [3] 陈愿．基于威布尔分布的某电子部件贮存可靠性寿命评估[J]．电
应力水平和实验室加速试验的应力水平进行换算，我们可以按 子元器件与信息技术，2019（1）：1-4，14．
-9
照图10来预估工程寿命，磁珠在H 2 S含量为10×10 环境下工程 [4] 顾蓓青，徐晓岭，王蓉华．三参数威布尔-几何分布的统计分析
寿命在10年左右。 [J]．统计与决策，2018（21）：14-18．
按照美国仪表协会ISA-71．04-2013划分的气体腐蚀性等级 [5] 王升鸿，丁成功．加速寿命试验及其在电子产品上的应用[J]．智
[14] -9
，GX环境下H2S的浓度＞50×10 ，可知普通磁珠的工程寿命 慧工厂，2019（2）：67-68．
大约在2～3年。结合工程各地返回失效案例统计，在机房环境 [6] 戚龙，潘婷．加速寿命试验综述[J]．中国科技纵横，2014
等级为GX的情况下，磁珠故障前累计工作时间均显示为2年半左 （20）：90-91．
右，与加速实验寿命预估模型推算的工程寿命一致。 [7] 茆诗松．加速寿命试验的加速模型[J]．质量与可靠性，2003
（2）：15-17．
四、结束语 [8] 李晓阳，姜同敏．加速寿命试验中多应力加速模型综述[J]．系统
本文通过分析银腐蚀失效的机理，实施了电阻（内部端电 工程与电子技术，2007，29（5）：828-831．
极含银）的FoS气体腐蚀加速试验和磁珠（内部由银箔构成线 [9] 李进，李传日．加速寿命试验中修正阿伦尼斯加速因子的研究[J]
圈）的单一H 2 S气体腐蚀加速试验，验证了银的硫化腐蚀寿命符 电子产品可靠性与环境试验，2009，27（ｚ1）：38-42．
合威布尔分布模型，银的加速硫化腐蚀寿命和应力水平的关系 [10] 李凌，徐伟．威布尔产品加速寿命试验的可靠性分析[J]．系统工
符合逆幂律模型，并结合各地工程失效案例验证了该寿命预估 程与电子技术，2010，32（7）：1544-1548．
模型的准确性。这种方法具有良好的收敛性，为光模块及其他 [11] ASTMB809-1995（2008），Standard Test Method for Porosity
光通信产品的设计、运行和维护提供了可靠的依据，并针对光 in Metal lic Coatings by Humid Sulfur Vapor(“Flowers-of-
模块的硫化腐蚀给出了应对措施，对降低工程失效率、延长产 Sulfur”)[S]．
品工作寿命和提升客户满意度具有重要意义。 [12] 陈兵，李星．加速寿命试验技术在国内外的工程应用研究[J]．强
度与环境，2010，37（6）：31-38．
参考文献 [13] 刘婧，吕长志，李志国，等．电子元器件加速寿命试验方法的比
[1] 李金灵，朱世东，屈撑囤，等．元素硫腐蚀研究进展[J]．热加工 较[J]．半导体技术，2006，31（9）：680-683．
工艺，2015（2）：20-24． [14] ISA-S71．04-2013，Environmental Conditions for Process
[2] 崔斌．片状电阻硫化失效机理及应用可靠性研究[J]．电子产品世 Measurement and Control Systems: Airborne Contaminants[S]
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