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光模块专题


            表面洁净无杂质残留。                                               焊接在PCB测试板上的电阻和磁珠在高硫环境下内部银电极
                2、加速试验方法                                         和银线圈生成硫化银,造成DCR变大,因此电性测量可通过检测
                当今有许多耐腐蚀性的试验方法,目前在电子产业广泛应                        DCR的变化率来统计电阻和磁珠的累积失效率。对于电阻,试验
            用的是混合性气体(Mixed  Flowing  Gas,  MFG)、单一H 2 S气         后电阻阻值偏离额定值±2%时判断为硫化失效;对于磁珠,试
            体、硫蒸气(Flower  of  Sulfur,  FoS)、切削油和Chavant含         验后磁珠DCR变化率超过20%时判断为硫化失效。表4所示为不
            硫粘土腐蚀试验      [11-13] 。                               同封装尺寸的电阻在相同应力下各时间段的失效数量统计表。
                基于硫化腐蚀机理的分析,腐蚀时间、硫元素的释放浓                         表5所示为相同封装尺寸的磁珠在不同应力下各时间段的失效数
            度、温度和湿度都是决定腐蚀程度的关键因素,我们选择FoS和                        量统计表。
            单一H 2 S气体腐蚀试验作为加速试验方法,分别在广州赛宝和北                       表4 失效样品数统计表
            京华测实验室进行试验。
                (1)FoS腐蚀试验
                FoS腐蚀试验在广州赛宝实验室进行,试验对象为厚膜电
            阻,腐蚀气体为FoS(玻璃容器内底部放置硫磺粉和饱和硝酸钾
            溶液),试验温度为105℃。
                该试验用于评估和验证不同封装电阻在相同应力下的寿命
            分布规律。
                (2)单一H 2 S气体腐蚀试验
                单一H 2 S气体腐蚀试验在北京华测实验室进行,试验对象                      表5 失效样品数统计表
                                                    -6
            为磁珠,腐蚀气体为H 2 S,腐蚀气体浓度为10×10 、15×10               -6
                    -6
            和25×10 (3种浓度对应3种不同的应力水平),试验温度为
            40℃,试验相对湿度为85%RH。该试验用于评估和验证相同封
            装磁珠在不同应力水平下的加速寿命关系。
                3、腐蚀评估方法
                (1)形貌观察法
                形貌观察法是指运用3D光学显微镜或3D  X-ray对试验前后
            的样品进行表面形态或内部形貌观察,表3所示为典型的电阻和
            磁珠腐蚀前后照片。通过3D光学显微镜可发现电阻表面深灰色
            覆盖层和端电极的结合处相比试验前可见明显的黑色硫化物。                              三、加速硫化腐蚀寿命模型的评估
                                                                     1、加速硫化腐蚀寿命符合威布尔分布
            磁珠通过3DX-ray可发现内部银箔线圈相比试验前存在银箔不完
                                                                     FoS气体腐蚀试验下不同封装尺寸的电阻在相同应力下的
            整和明显孔洞状形态,表明正在发生硫化腐蚀。
                                                                 寿命分布如图8所示,黑色、红色和绿色分别代表0402、0603
              表3 试验前后电阻磁珠形貌对比
                                                                 和0805封装电阻的累积失效分布。由图可知,在相同恒定应力
                                                                 下,不同封装的电阻在图中拟合的寿命直线,其直线斜率表征
                                                                 威布尔分布故障概率密度函数的形状参数m,如图所示,m相
                                                                 近略有不同,说明电阻的硫化失效机理是一样的,电阻在恒定
                                                                 应力下的硫化寿命符合威布尔分布。由图还可知,小尺寸封装
                                                                 的电阻在相同应力下,硫化失效概率更大。
                                                                  图8 电阻在FoS试验下的寿命分布图







                (2)元素分析法
                元素分析法是指运用EDX荧光光谱仪来测量元素,其原理是
            通过X射线穿透原子内部电子,由外层电子补给产生的能量差
            来判断属于何种元素。
                (3)电性测量法
                电性测量法是指运用测量工具对试验样品的关键电气参数
            进行测量,包含开路、短路、电阻变化、参数不稳定和上电功
            能异常等。

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