Page 23 - 网络电信2018年11月刊下

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图4 与下包层折射率差

图6 POCI 3 流量（sccm） 图7 BCI 3 流量（sccm）

覆盖（B2O3提高薄膜退火时的流动性，P2O5会降低薄膜退火时
的流动性），BCl3：POCl3必须≥1，综合考虑，最终确定了需
要的工艺配方。
B的含量，以达到更好的流动性，使得芯层和上包层直接更加紧
而另一个重要因素膜厚的控制是基于折射率的配方，通过
密地结合。增加缓冲层前后的PDL对比，如下图：
多次试验的经验值，确定工艺时间，基本的长膜速度约为1um/
图5
min。
2、退火工艺的研究
当形成火焰水解形成松散体后，主要的成分为：SiO2、
B2O3和P2O5，这三种氧化物的熔点如下表：
图8
成分 熔点
1610℃
SiO 2
从上图可看出，在增加了缓冲层之后，芯片的PDL指标有了 B 2 O 3 580~585℃
质的变化。 P 2 O 5 450±2℃

基于上表，退火工艺的温度需要在600~1600℃寻找。原
四、FHD工艺主要控制参数 则上，在保证退火充分的前提下，退火温度越低越好，以避免
如之前所说，FHD需要精确控制折射率，主要是通过对 对芯层波导的破坏。经过多次试验，上包层玻璃化最佳温度为
SiC4、BCl3和POCl3三种气体的流量和退火温度的控制来达到目
1200℃。
的。
1、工艺配方的研究 五、结论
FHD 的主要原料中其中，BCl3和POCl3流量的变化对折射率 FHD对光分路器芯片上包层的制备具有较大的优势。同时，
影响较大，在设备基础调试时，大致得出如下关系（折射率为
FHD工艺的调试过程中，对光分路器芯片的最终指标有较直接的
632nm波长）： 影响。其主要通过控制通过SiC4、BCl3和POCl3三种气体的流量
结合设备调试数据和目标折射率，同时为保证窄缝的充分
和退火温度的控制来达到上包层质量的控制。

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光纤衰减随温度的变化：12个颜色代表12芯光纤的衰减变化 长飞超低衰减大有效面积光纤产品在成缆前后的衰减对比

中蓝色柱状图为原始长盘光纤的原始衰减分布，蓝色线图为原 纤衰减原有衰减在同一水平，没有明显增加。
始光纤衰减累计统计；红色柱状图为成缆后光缆的衰减，红色
线图为成缆后衰减累计统计。从实验我们可以发现，由于我们 四、结论
的光纤在成缆前典型值在0.158dB/km，成缆后光纤在1550nm波 长飞超低衰减大有效面积光纤具有超低的衰减系数、较大
长处的衰减值较成缆前略高，典型值在0.161dB/km。长飞超低 的有效面积、优异宏弯和微弯性能和良好的成缆适应性，是下
衰减大有效面积光纤在成缆过程不需要其他特殊设备或特别工 一代400G和超400G陆地干线通信系统的最优选择。
艺控制，全部要求同常规G.652光纤成缆要求相同，成缆前后光

22 网络电信 二零一八年十一月