Page 21 - 网络电信2021年12月刊下
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率可以改善这一情况,但是这样又会增加非线性畸变,这种畸 +λ (0.51Δ+0.76)+7.81×10 ×exp(-48.48/λ) (8)
变随距离增长而不断增加。因此,16-QAM编码技术只能应用于 上式中,λ为工作波长(微米);Δ为锗掺杂带来的折射
相对较短距离的信号传输。 率变化(%)。其中α IR 为红外吸收损耗,与掺杂浓度无关,α UV
2.6 前向纠错编码技术FEC (Forward error correction) 为紫外吸收损耗,在低浓度掺杂的情况下,对损耗的影响也极
在远程通信、信息论、编码理论中,前向纠错码(FEC)和 小,主要对衰减产生影响的是与波长四次方成反比的瑞利散射
信道编码是在不可靠或噪声干扰的信道中传输数据时用来控制 α RS 部分。
错误的一项技术,前向纠错编码技术(FEC)具有引入级联信道编 根据上式,当不进行锗掺杂时,工作波段为1550nm时,光
码等增益编码技术的特点,可以自动纠正传输误码的优点。它 纤的理论损耗(排除应力影响)约为0.152dB/km。而当芯层进
的核心思想是发送方通过使用纠错码(ECC)对信息进行冗余编 行掺杂后,每使得芯层的Δ变化0.1%,则造成瑞利散射加剧而
码。当传输中出现错误时,将允许接收器再建数据。 使衰减增加的值为:0.0135dB/km。常规的G.652.D光纤纤芯掺
2.7 不同传输距离场景下的光纤通信系统 锗,Δ为0.32%时,光纤损耗为0.19 dB/km。
光纤通信技术可以连接至各类通信网络,构成信息传输 为了得到在1550nm波长上光纤的最低损耗,在传统的
过程中的大动脉。现代通信网络架构主要包括:核心网、城域 G.654.E光纤中均采用纯二氧化硅纤芯以及掺氟包层以得到波
网、接入网、蜂窝网、局域网、数据中心网络等。不同网络之 导结构,从而避免因纤芯掺锗引起的分子组份起伏产生的瑞
间的连接都可由光纤通信技术完成,如在移动蜂窝网中,基站 利散射损耗。但是,实际市场上G654.E商品光纤没有达到理
连接到城域网、核心网的部分也都是由光纤通信构成的。而在 论上的低衰减水平,其原因是因为波导缺陷损耗(waveguide
数据中心网络中,光互连是当前最广泛应用的一种方式,即采 imperfection loss)所产生的附加损耗。波导缺陷损耗是由于
用光纤通信的方式实现数据中心内与数据中心间的信息传递。 芯/包界面的几何波动引起的。界面的不规整性产生光的散射导
如果以传输距离与应用场景来划分,可以将光纤通信技术 致衰减的增大。界面的几何波动是在工艺过程中的残余应力所
划分为不同的种类,其中典型的短距离光传输系统包括数据中 引起的,此残余应力源自纯硅芯纤芯和掺氟包层之间的高温粘
心光互连与接入网系统的光传输链路。目前多数短距离光传输 度失配以及拉丝张力。另外,由于纯硅芯与掺氟包层的热胀系
采用IM/DD的通信方式,随着传输距离的增加,通信方式逐渐向 数的不同在纤芯包层界面的应力导致衰减的增大以及在光棒脱
相干通信靠拢。数据中心内的光互连主要采用VCSEL激光优化多 水烧结工艺中会引起开裂。
模光纤(OM3,OM4)链路为主的IM/DD系统,数据中心间的光互连 为了解决上述纯硅芯与掺氟包层界面之间高温粘度失配以
部分采用IM/DD的通信方式,部分将有望采用直接检测与相干检 及纯硅芯与掺氟包层的热胀系数的不同带来的问题, 一个设计
测过渡方案或简化相干检测方案。而中长距传输系统包括应用 方案是采用纤芯掺氯,包层掺氟来实现纤芯和包层的高温粘度
于城域网的链路,目前都在逐步向相干系统演进。长距离传输 匹配,从而消除芯包界面因粘度失配产生的应力导致界面应变
系统包括:核心网传输链路和海底光缆的跨洋传输。 产生的附加损耗。
3.G.654.E光纤 假设光纤的纤芯与二氧化硅的相对折射率差为Δ 1 ,纤芯粘
伴随着社会对通讯系统信息容量要求的大幅度增长,光纤 度为η 1 ,匹配包层与二氧化硅的相对折射率差为Δ 2 ,匹配包层
发展第三阶段的技术已经渐渐无法满足社会发展的需要。 粘度为η 2 ,则可根据下式进行粘度匹配的计算:
伴随着相干接收和DSP技术的发展,在第三阶段中困扰光纤 设定:
应用系统性能提升的色散和偏振模色散不再成为问题。在高速
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大容量长距离传输系统中,光纤性能中衰减和非线性效应逐渐
凸显出来。
(10)
面对传输提出的高OSNR、高频谱效率、高FOM、低非线性效
应的新的要求,决定了下一阶段光纤的性能应着重于光纤衰减 则粘度匹配时,必需满足下列条件,
系数的继续降低和光纤有效面积的合理增大这两个方面上。而 (11)
针对这种新型的应用要求,G654.E光纤逐渐登上历史的舞台。 最终可得到以下公式:
3.1 G.654.E光纤的特点和参数
结构: 采用纯二氧化硅纤芯,以减小G.652.D光纤中纤芯掺 (12)
锗引起的瑞利散射损耗;掺氟包层形成低于纯硅纤芯的折射率,
以形成波导结构。 (13)
性能:截止波长位移光纤:λcc≤1530 nm;低损耗:β≤ 式中,Δ=Δ 1 -Δ 2 为芯/包折射率差。
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0.165 dB/km;大有效截面A eff = 110um 。 当进行氯、氟等材料掺杂时,在1650℃时,根据不同的掺
3.2 G.654.E光纤的进展 杂浓度(wt%), 石英玻璃的粘度可参见以下公式:
在G.652.D光纤中,纤芯中的锗掺杂是光纤衰减增加的主要
(14)
原因之一,在光纤进行锗掺杂的情况下,材料固有的损耗满足
式中,η0(泊)为纯二氧化硅粘度,
以下公式:
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a=a UV +a RS +a IR =1542Δ/(446Δ+6000)×10 ×exp(4.63/λ) (15)
网络电信 二零二一年十二月 21