Page 27 - 网络电信2020年9月刊下
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光    通    信

                当进行氯、氟掺杂时,                                           对比卤素原子掺杂引起的折射率变化:当掺杂剂为氯时,
                                                                 它打断石英玻璃的≡Si-O-Si≡键,替换为≡Si-Cl键,导致石
                                                                 英玻璃网络结构的重排。氯离子的半径大于氧离子的半径(氯离
                                                                 子半径为181pm,  氧离子的半径为140pm),所占用的体积较大,
                                                                 在石英玻璃中起到扩张网络结构的作用,  导致结构紧密程度显
                根据计算设定的Δ值可分别得出Δ 1 ,Δ 2 。以此可得出氯、                  著降低,因之降低了玻璃的粘度从而降低了其熔化温度。另一
            氟的掺杂浓度。具体的光纤参数,如纤芯直径,剖面各部分的                          方面,被氯打断结构的石英玻璃最终结构更加开放,离子极化率
            折射率差可用模拟方法求得。光缆截止波长设定为1530nm。                        增加,从而增加了石英玻璃的折射率。而氟离子半径为133pm,
                但是值得关注的是,由于卤素的掺杂机理和锗的掺杂机理                        与氧离子半径相差较小,对结构的影响较小,与氯相比,氟具有
            不同,卤素在石英晶格内仅能以[SiO 1.5 X]的形式存在,且掺杂                   更小的极化率,且Si-F键的结合能远大于Si-O键的结合能,石
            浓度较高时在高温下易富集并变为SiX 4 逸散,所以如何提高卤                      英玻璃整体极化率降低,氟虽然改变石英玻璃的结构,但其造成
            素的掺杂浓度是目前光纤预制棒制备工艺中亟需解决的问题。                          离子极化率的降低,从而降低了石英玻璃的折射率。
            但是通过在芯层中进行一定浓度的氯掺杂以降低芯/包的粘度失                             此外,由于锗、氟和氯的相对原子质量不同,所以在计算
            配和光纤衰减,仍是极有潜力的技术发展方向。                                质量百分比时,质量百分比与摩尔百分比的换算可见下式:
                图4为粘度匹配型光纤的示例折射率分布剖面图。图中,
            Δ 1 为掺氯纤芯与纯二氧化硅的折射率差,Δ 2 为掺氟浅层下陷包
            层与纯二氧化硅的折射率差,两者形成光纤基模的主导光面。                              其中,Mr(A)为掺杂元素的相对原子质量,Mr(B)为纯石
            Δ 3 为掺氟环沟型深层凹陷包层与纯二氧化硅的折射率差,此为                       英的相对分子质量,Mr(C)为对应掺杂元素在石英玻璃中最
            增强高斯场的集中度,减小光纤宏弯损耗的包层结构。                             小晶格的分子质量(即锗为[GeO 2 ]、氟为[SiO 1.5 F]、氯为
             图4 粘度匹配型光纤的示例折射率分布剖面图                               [SiO 1.5 Cl])。
                                                                     由于掺杂物的相对于石英整体的分子质量影响较小,则可
                                                                 近似地认为质量百分比与被掺杂石英的折射率同样存在线性关
                                                                 系。
                                                                     (3)掺杂对石英损耗的影响
                                                                     瑞利散射损耗为密度起伏产生的瑞利散射损耗以及组分起
                                                                 伏产生的瑞利散射损耗之和,密度起伏的瑞利散射损耗如下式
                                                                 所示,




                                                                     式中,λ为入射光波长,p为光弹性系数,n为折射率,k B
                                                                 为波兹曼常数,β T 为等温压缩率,T f 为假想温度,光纤的假想
                                                                 温度的定义是SiO 2 液态结构凝固而转变为玻璃态时的温度。
                                                                     因瑞利散射主要是由密度波动冻结所形成的,故其正比于
                (2)掺杂对石英折射率的影响                                   假想温度。因而减小假想温度可减小瑞利散射系数,当二氧化
                石英玻璃中掺杂的锗、氟和氯的摩尔百分比与其对石英折                        硅玻璃掺氯时可以降低玻璃的粘度,从而降低其假想温度。所
            射率的影响在相同温度下可认为是线性关系的,其具体影响可                          以,掺氯的石英玻璃有较小的密度波动引起的瑞利散射损耗。
            见图5:                                                     再者,在芯层掺入降低玻璃粘度的掺杂剂可以减少光纤拉
                                                                 丝时玻璃的结构弛豫时间,有利于提高密度的均匀性,从而减
              图5 锗、氟、氯掺杂对石英折射率的影响
                                                                 小密度波动引起的瑞利损耗。氯比氟更有利于减小瑞利散射。
                                                                 氯几乎不引起浓度波动,但可减小拉丝退火弛豫时间,降低假
                                                                 想温度,故掺氯有利于降低光纤损耗。
                                                                     掺杂剂浓度增加会引起因组分起伏形成的瑞利散射损耗的
                                                                 增加。因组分起伏形成的瑞利散射损耗如下式所示,





                                                                     式中,M j 和x j 分别为第j个掺杂物质在二氧化硅晶格中掺杂
                                                                 形成的最小晶格的相对分子质量和掺杂量;N A 为阿佛加德罗常
                                                                 数;  折射率n和密度的偏微分由实验数据确定。纤芯因组份起伏
                                                                 引起的瑞利散射损耗与掺杂形成最小晶格的分子质量以及掺杂

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