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解  决  方  案

            y=0.0716x+1527.811和y=0.0676+1528.151。拟合直线的斜率          图 6 (a) 共振波长随温度变化关系 (b) 共振波长随温度变化拟合曲线
            表示相对湿度每变化1%RH共振波长漂移71.6pm和67.6pm,即该
            传感器在相对湿度升高和降低过程中的湿度响应灵敏度分别为
            71.6pm/%RH和67.6pm/%RH,灵敏度的微小差异是由于测量误差
            导致的,取其平均值即传感器灵敏度为69.6pm/%RH。拟合直线
            的差异主要是来自于羧甲纤维素水凝胶膜的湿滞作用起的。所
            设计传感器的湿度响应测试结果表明其具有良好的湿度响应,
            对湿度变化灵敏而且响应时间非常迅速。

             图 5 (a) 反射光谱随温度变化关系 (b) 中心波长随温度变化拟合关系
                                                                 感器的温度响应为15pm/℃。
                                                                     由温度变化引起的共振波长的漂移如图6(a)所示,选择波
                                                                 长为1530nm处的干涉峰为观察点,对由温度引起的共振波长的
                                                                 漂移进行拟合,可以得知温度对共振波长漂移的影响。当传感
                                                                 器的所处的环境的温度和湿度同时变化时候,可以通过解调总
                                                                 波长偏移减去温度变化引起的波长偏移来获得湿度变化信息。

                                                                     三、结束语
                                                                     综上,笔者设计了一种采用腐蚀多模光纤级联布拉格光栅
                2.温度响应测试                                         结构的光纤温湿度传感器。首先将一段6mm的多模光纤与布拉光
                在进行完湿度影响测试以后,对所制作的传感器进行温度                        栅级联。然后使用氢氟酸将多模光纤的直径腐蚀到60μm,最后
            响应测试。将恒温恒湿箱的相对湿度设置在55%RH,然后温度从                       在腐蚀以后的多模光纤上涂覆一层羧甲基纤维素水凝胶膜。实
            30℃到80℃变化,每隔10℃进行一次记录。温度变化引起的布                       验结果表明所设计的温湿度传感器对温湿度响应非常灵敏,其
            拉格光栅的中心波长的光谱变化如图5(a)所示。对布拉格光栅                        温度灵敏度达69.6pm/%RH,传感器的响应和恢复时间分别为约
            的中心波长与温度的变化进行拟合,如图5(b)可以发现温度的                        2.34s(从30%RH  到80%RH)和2.78s(从80%RH  到30%RH)
            变化与布拉格光栅的中心波长的移动近似呈线性关系。温度响                          湿度灵敏度为15pm/℃,其结构简单,成本低廉,响应时间快,
            应可以近似拟合为:y=0.015x+1539.564。拟合直线的斜率表示                 能够同时测量温度和湿度,在温湿度检测领域具有很好的应用
            温度每变化1℃布拉格光栅的中心波长漂移15pm,即所制作的传                       前景。





                                  美国白宫正与英特尔和台积电商讨在美建厂造芯片事宜



                据国外媒体报道,美国白宫正在与英特尔和台积电谈判,试图说服它们在美国建厂,以生产更多的芯片。
                消息人士表示,美国白宫正与英特尔和台积电商讨在美国建立芯片工厂的事宜。
                英特尔和台积电这两家芯片制造商是该行业的主要参与者,尽管英特尔已在美国生产部分芯片,但此次谈判的核心是说服该
            公司在美国建设一家代工厂,以扩大在美生产,而台积电则被希望在美国建造其第一家芯片工厂。
                毫无疑问,建设一家新工厂并不简单。但值得注意的是,多家业内领先的芯片制造商正在认真考虑这一计划。
                英特尔负责政策和技术事务的副总裁格雷格·斯莱特(Greg Slate)表示,英特尔“对此事非常认真”,它的计划包括为美国
            政府和其他客户建设生产先进芯片的工厂。
                与此同时,台积电一直在与美国商务部和国防部的官员以及其主要客户苹果公司讨论在美国建立芯片工厂的可能性。
                该公司在一份声明中表示:“我们正在积极评估包括美国在内的所有合适的地点,但目前还没有具体计划。”
                台积电以生产苹果的A系列芯片而闻名,美国白宫此举可能最终导致苹果的部分A系列芯片在美国国内生产。
                据悉,芯片生产密集地分布在中国大陆、中国台湾和韩国等地。过去几十年,芯片制造商和其他美国科技公司一直在向亚洲
            市场扩张,而低廉的劳动力成本和靠近地区供应链等因素推动了这一趋势。然而,这一模式目前正受到与新冠疫情有关的干扰。








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