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光 通 信
[1]
(1)式 进行计算: 表1:低损耗大有效面积单模光纤主要性能参数
logη=K 0 +K F Δ F +K Ge Δ Ge (1)
式中,η为掺杂后玻璃的粘度,Δ F 和Δ Ge 分别为掺杂F和
GeO 2 后玻璃的相对折射率差。K 0 为纯二氧化硅粘度的对数,
与温度相关,K F 和K Ge 是假定与温度无关的常数,其计算公式 [1]
如(2)、(3)、(4)式:
(2)
(3)
(4)
[1]
根据文献 ,1700~2000℃时,K F =1.5,K Ge =-0.5。
为了降低光纤损耗,纤芯中应尽量减少掺杂物的种类
和掺杂剂的浓度,我们设计的大有效面积光纤纤芯中单掺
GeO 2 ,其粘度的对数为:logη core =K 0 +K Gecore +Δ Gecore 。此外由
于在给定Δ的情况下,内包层折射率越低,相应的芯层折射
率也越低,即GeO 2 的掺杂浓度可减少,从而进一步降低光纤
的瑞利散射,达到降低衰减的目的。光纤内包层中单掺F,
其粘度的对数为:logη clad =K 0 +K Fclad +Δ Fclad 。经过优化设计,
纤芯折射率为1.4606,内包层折射率为1.4564,logη clad -
[3]
logη core =(K 0 +K Fclad Δ Fclad )-(K 0 +K Gecore Δ Gecore )=0.02,芯包层粘度基 Merit,FOM),其计算公式 如下:
本接近一致。
相对于常规的G.652光纤,大有效面积单模光纤芯径的增大 (6)
和Δ的减小会导致光纤微弯损耗[2]的增加,如(5)式:
(5) (6)其中A eff 、α、n 2 和L eff 分别为大有效面积光纤的有效
面积、衰减系数、非线性折射率和有效长度,A eff,ref 、α ref 、
其中γ为由微弯引起的损耗,N为单位长度上平均高度 n 2,ref 和L eff,ref 分别为参考光纤的有效面积、衰减系数、非线性折
(h)的隆起数,b为涂覆光纤的外径,a为纤芯半径,Δ为芯包 射率和有效长度。
相对折射率差,E f 和E分别为裸光纤和涂覆层的弹性模量。 以常规G.652光纤作为参考光纤,其在1550nm的有效面积典
2
根据公式(5),大有效面积单模光纤的微弯损耗是G.652 型值A eff,ref =80μm ,衰减典型值为α ref =0.20dB/km,锗硅纤芯光
-20 2
光纤的5倍左右。由于受到光纤标准的限制,光纤的涂覆外径b 纤非线性折射率=2.2-2.3×10 m /W,有效长度根据公式(7)
[4]
和裸光纤的弹性模量E f 无法调整。因此只能降低涂覆层的弹性 :
模量E(主要是内涂层的弹性模量),从而减小微弯损耗。因此 L eff ≈10·log 10 (e)/α (7)
大有效面积光纤选择抗微弯性能更好的光固化树脂,其弹性模 计算可得L eff,ref =21.17km。大有效面积光纤1550nm的有效面
2
量为0.69Mpa。 积A eff =130μm ,衰减系数α=0.182dB/km,锗硅纤芯非线性折射
-20 2
率n 2 =2.2-2.3×10 m /W,有效长度L eff =23.86km。以80km长的
三、低损耗大有效面积单模光纤的制造 跨段进行通信链路研究,链路FOM贡献为2.23dB。
低损耗大有效面积单模光纤预制棒采用VAD+OVD全合成法制
造,该工艺整合了VAD对预制棒结构和尺寸的精确控制和OVD沉 四、结束语
积效率高、成本低的优点。 目前在各种调制解调技术的支持下,色散和偏振不再是长
通过光纤拉丝工艺的优化控制,将预制棒拉制成光纤后, 距离传输的根本难题,而信噪比和非线性将是影响传输距离的
各项指标满足ITU-TG.654(2016)中G.654B、G.654.D和G.654. 最大因素。对于通信光纤来说,就需要降低衰减和增大有效面
E要求,右上表1为大有效面积单模光纤主要性能参数。研制的 积。低损耗大有效面积光纤能够有效降低大容量光纤传输的非
光纤在1550nm的有效面积达到130μm2,衰减系数为0.182dB/ 线性效应,允许更大的入纤功率。相对于G.652光纤,低损耗大
km。将光纤在Φ60mm的芯轴上绕100圈,测得光纤在1625nm的宏 有效面积单模光纤可提升传输距离,有效提高通信链路的系统
弯损耗为0.013dB。 设计冗余。
为了评价低损耗大有效面积光纤在高速大容量通信系统中 本文从100Gb/s和超100Gb/s光通信系统对光纤的要求出
给光信噪比带来的优势,通常引入光纤品质因数(Figure of 发,并基于低成本、大规模制造的理念,通过芯包层粘度匹配
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