Page 26 - 网络电信2019年5月刊下
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5 G 光 器 件 与 光 模 块 专 题
低。第二种是采用两个微型环形器串联的方案,环形器方案对 图11 主流可调激光器原理
公共端反射串扰非常敏感,出纤需要采用具有高回损指标的光
纤倾斜端面接口,并对实际工程使用提出了较高的要求,所以
25G BiDi光模块建议优先考虑WDM方案。
25G/50G BiDi的关键技术在于解决光/电收发窜扰,25G设
计高速封装和信号完整性,低功耗设计。目前国内多个厂家发
布25G/50G BiDi相关产品,正处于小批量样品阶段。
在BiDi的基础上,2018年业界发布了双小型可插拔多源
协议组(Dual Small Form-Factor Pluggable Multi-Source
Agreement,DSFP MSA)规范,将SFP28模块密度和总带宽翻倍,
DSFP将可以支持56Gb/s NRZ或者112Gb/s PAM4传输,未来还可
以支持基于PAM4的224Gb/s的传输。
继2018年推出双10G DSFP+工温光模产品后,光迅科技也
一个难题,一般需要通过闭环的监控环路动态的微调波长,从
拟在2019年继续推出业内领先的双25G DSFP28光模块,此产品
而满足系统需要的波长稳定度。此外,在波长调节的过程中,
的推出将大大提升前传解决方案的性价比,更好地促进5G的部
还需要设法避免对其他设备的波长造成的干扰,避免对其他波
署。
长上业务的影响。G.metro标准通过调顶方式构造一个带外的控
图10 DSFP28 BiDi光模块功能框图
制信令通道,实现远程的波长调节控制功能。
新一代光传送网论坛(NGOF)目前正从标准化和企业合作着
手,推动低成本25G可调技术的研发和产业化应用,有望突破国
外技术壁垒,实现低成本的WDM-PON前传方案。
四、总结和展望
5G和数据中心对光通信产业的拉动带来巨大的市场机会,
作为5G的基础网络设施,光模块产业链在5G前夕已经投入大量
资源,按照《中国光电子器件产业技术发展路线图》的指引
[3] ,尽快突破25G工温DFB和低成本封装的国产批量化生产是非
通信设备采用DSFP光模块后,由于模块密度翻倍,因此成
倍提高了通信设备的端口密度和吞吐量,也相应的提高了设备 常紧迫的任务。结合50G/100G PAM4和硅光集成技术的多通道
的性价比,增加了客户的产品竞争力。 100G/200G/400G光模块会对中传和回传带来深远的影响,成为
4、低成本25G可调光模块技术 当前研究和产业化的重点。在此基础上,低成本25G可调光模块
根据业界的研究,可调激光器需要能够提供16~20个不同 将成为5G前传的有益补充。
波长才能满足前传网络系统的要求。为了降低波长稳定控制的 在向5G成熟期的发展中,更为高速的50G/100G/200G BiDi
难度,波长间隔一般在100GHz以上,所以波长可调范围需要在 也将进入技术规划,数据中心之间的长距高速互联将引入低成
8nm以上。为了降低传纤损耗,25G最好工作在O波段,而业界可 本的相干技术。技术的创新浪潮最终需要通过市场的检验来实
调激光器大多工作在C和L波段,基本只能满足中短距的需求。 现优胜劣汰,新产品的快速迭代也对光模块厂家的技术、生
根据光源类型及调谐方式的不同,波长可调谐激光器存在 产、运营能力提出了更高的要求。
多种技术方案,从成本、性能、功耗和技术成熟度综合考虑, 2020年5G的规模商用即将到来,资本和新厂家的不断涌入
基于WDM方案的5G前传网络主要采用两种可调激光器:(1)基 也促进技术的不断创新,从而避免产品的同质化竞争。掌握核
于取样光栅分布布拉格反射器(SG-DBR)技术的激光器具有波 心光芯片和封装技术的企业将获得更大的竞争力和经济收益。
长可调谐范围宽、调谐速度快(ns~us级)、调制速率高和成
本相对较低等优势,是业界主流技术方案,当目前国内量产能
力匮乏。(2)基于温度调节的DFB波长可调范围只有4nm左右, 参考文献
[1] IMT-2020(5G)推进组,5G承载光模块白皮书,2019.1,Page 5
单个DFB无法满足可调范围需求,只能采用DFB阵列的方式,每
个DFB覆盖4nm范围,多个DFB并联且通过选通控制来选择某个 [2] IMT-2020(5G)推进组,5G承载网络架构和技术方案白皮书,
2018.9,Page 6
DFB工作,实现需要的特定波长,调谐速度在秒级。
目前批量商用的可调激光器技术大都掌握在国外厂家手 [3] 中国电子元件行业协会,中国光电子器件产业技术发展路线图
(2018-2022年),2017.12,Page 19
中,近年来随着产业界的并购,少数国内厂家通过收购获得了
常规多段式DBR可调激光器的产业化能力,波长调谐范围支持 [4] 中国电信,5G时代光传送网技术白皮书,2017.9,Page 5
[5] Emission of InAs quantum dots embedded in InGaAs/InAl-
10nm量级,一般可满足20通道@100GHz波长间隔的应用场景。
在获得需要的可调波长之后,波长稳定是需要解决的另外 GaAs/GaAs quantum wells,R.Cisnero Tamayo,Journal of
Luminescence,Volume 149, May 2014, Pages 1-6
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