Page 33 - 网络电信2018年12月刊下

图5是图4中X向粗糙度分布图。 图9是图8中Y向粗糙度分布图。
图5 图9

图6是图5中Y向粗糙度分布图。
图6
图10是本发明对比实施和实施例的回波损耗数据比较图。
图10

图7是实施生产样品端面的AFM示意图。
图7
为了更为直观比较对比与本实例制备的样品结果，采用与
本实例制备的多个样品的回波损耗进行比较，以说明批量生产
情况下其二者区别。
参见表1和图10。均各选取15个样品进行测试。表1中分别
为只进行切割后的15个样品、切割后再进行抛光研磨的15个样
品以及15个样品的回波损耗测试比较图。
表1

图8是图7中X向粗糙度分布图。
其中，切割后再进行抛光研磨的15个样品其平均值为
图8 52.58dB,方差为0.293，与之相对，采用免磨抛工艺方法的15
个样品其平均值为50.8dB,方差为0.3。通过该数据比较可以知
道，采用免磨抛工艺方法制备的样品的器件性能以及器件稳定
性均能够与现有技术相近。
通过在对光纤、光纤陈列或光芯片切割过程中直接进行镜
面化，从而省去了现有技术中切断后还要进行研磨与抛光的步
骤，减少三分之二的工艺步骤、减少研抛设备与材料消耗，同
时能够保证与现有技术相近的产品品质。

网络电信 二零一八年十二月 65