根据Yole Développement有关《射频功率器件市场和技术 2017》的报告预测，在经过了2015年到2016年的缓慢发展，全球射频功率器件市场（单个器件平均功率大于3W）将在2016到2022年间以9.8%的复合年增长率（CAGR）快速增长。市场规模有望从2016年的15亿美元增长到2022年的 25亿美元。快速增长的原因主要来源于5G基站的更新换代以及设备小型化的巨大需求。
Yole技术与市场分析师Zhen Zong表示：“5G时代将于未来5年内到来，这对于现有的射频技术是一种巨大的提升和挑战。”这种设备的更新换代并不是单指智能设备的更换，更多的是指单个功率超过3W的射频通信器件。同时，5G能够为射频功率器件市场提供巨大的商业机遇。
目前，市场在4G时代已经趋于饱和阶段，并开始慢慢地向5G技术转型。但是，5G技术还是存在一些的问题有待解决。然而其中一些问题已经有了很明确的答案：新的通信网络需要更多的基站设备以及更高的频率响应。因此，这些需求就会催生半导体行业的巨大商机，尤其是射频功率器件市场。
Yole技术与市场分析师 Dr Hong Lin也指出：“通信设备市场包括了通信基站以及无线回程设备，这些设备就几乎占到了一大半的市场份额。”她同样预测2016-2022年之间通信基站将会以12.5%的复合年增长率增长，同时无线回程设备也有5.3%的增长速度。
与此同时，射频器件设备在军用领域同样拥有突出的表现，这其中尤其是氮化镓（GaN）材料，目前使用该材料的器件开始逐渐更替旧有的砷化镓（GaAs）雷达通信设备。GaN材料能够提供更高效的性能表现，更加小巧的体积控制以及更高频率的响应。Yole同样预测在该领域射频器件同样有4.3%的复合增长率（2016-2022）。
来源： 材料深一度 |
